SGP06N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGP06N60
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G06N60
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SGP06N60
SGP06N60 Datasheet (PDF)
sgp06n60.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
sgp06n60 sgd06n60g.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
Другие IGBT... SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 , SGW20N60 , SGB30N60 , SGW30N60 , SGP02N60 , SGP04N60 , FGH60N60SMD , SGP15N60 , SGP20N60 , SGP30N60 , SGI02N120 , SGP02N120 , SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS .
History: GT15J321
History: GT15J321
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264