IGP03N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGP03N120H2
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G03H1202
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 22 nC
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IGP03N120H2 Datasheet (PDF)
igp03n120h2.pdf
IGP03N120H2 IGW03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis
igp03n120h2 igw03n120h2.pdf
IGP03N120H2 IGW03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis
igp03n120h2 igw03n120h2 rev2 6.pdf
IGP03N120H2 IGW03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis
Другие IGBT... SGP20N60HS , SGP30N60HS , IGB01N120H2 , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 , GT45F122 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 , IGP30N60H3 , IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , IGA30N60H3 .
History: HGTP1N120BN | IXGX100N170 | GT8Q102 | IXGR32N60CD1 | IXGH24N60BU1
History: HGTP1N120BN | IXGX100N170 | GT8Q102 | IXGR32N60CD1 | IXGH24N60BU1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015