Справочник IGBT. IGP15N60T

 

IGP15N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGP15N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IGP15N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  infineon
 igp15n60t.pdf pdf_icon

IGP15N60T

IGP15N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology CFeatures: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C G Short circuit withstand time 5s E Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers :

 0.1. Size:399K  infineon
 igp15n60trev2 2g.pdf pdf_icon

IGP15N60T

IGP15N60T TrenchStop Series q Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s G Designed for : E - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight p

Другие IGBT... IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , IGP06N60T , IGP10N60T , GT30F125 , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S , AUIRGB4062D , AUIRGP35B60PD .

History: IGC04R60DE | IGC41T120T8Q | IGC50T120T8RL | IGC99T120T8RL | DGW50N65CTL1 | IGC31T65QE | STGWT80H65DFB

 

 
Back to Top

 


 
.