AUIRG4BC30S-S - аналоги и описание IGBT

 

AUIRG4BC30S-S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AUIRG4BC30S-S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для AUIRG4BC30S-S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AUIRG4BC30S-S даташит

 ..1. Size:301K  international rectifier
 auirg4bc30s-s.pdf pdf_icon

AUIRG4BC30S-S

AUTOMOTIVE GRADE PD - 96340 AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-SL Standard Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features Standard optimized for minimum saturation VCE(on) typ. = 1.4V G voltage and low operating frequencies (

 ..2. Size:301K  international rectifier
 auirg4bc30s-s auirg4bc30s-sl.pdf pdf_icon

AUIRG4BC30S-S

AUTOMOTIVE GRADE PD - 96340 AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-SL Standard Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features Standard optimized for minimum saturation VCE(on) typ. = 1.4V G voltage and low operating frequencies (

 4.1. Size:324K  international rectifier
 auirg4bc30u-s.pdf pdf_icon

AUIRG4BC30S-S

PD - 96335 AUTOMOTIVE GRADE AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30U-SL UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features VCE(on) typ. = 1.95V G UltraFast Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, E @VGE = 15V, IC = 12A >200 kHz in resonant mode n-channel Industry standard D2Pak & TO-262 package Lead-Free, RoHS Compliant

 8.1. Size:398K  international rectifier
 auirg4pc40s-e.pdf pdf_icon

AUIRG4BC30S-S

AUTOMOTIVE GRADE AUIRG4PC40S-E Insulated Gate Bipolar Transistor C VCES = 600V Features VCE(ON) typ. = 1.32V G Standard Optimized for minimum saturation voltage E and low operating frequencies (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , IGP06N60T , IGP10N60T , IGP15N60T , IGP50N60T , IKW40T120 , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S , AUIRGB4062D , AUIRGP35B60PD , AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.