AUIRGP4063D - аналоги и описание IGBT

 

AUIRGP4063D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AUIRGP4063D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AUIRGP4063D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AUIRGP4063D даташит

 ..1. Size:325K  international rectifier
 auirgp4063d auirgp4063d-e.pdf pdf_icon

AUIRGP4063D

AUIRGP4063D AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4063D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology IC = 60A, TC = 100 C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.6V 100% of the

 ..2. Size:337K  international rectifier
 auirgp4063d.pdf pdf_icon

AUIRGP4063D

AUIRGP4063D AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4063D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology IC = 60A, TC = 100 C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.6V 100% of the

 5.1. Size:314K  international rectifier
 auirgp4062d.pdf pdf_icon

AUIRGP4063D

PD - 96353A AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 24A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 s SCSOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Co

 5.2. Size:621K  international rectifier
 auirgb4062d auirgp4062d auirgp4062d-e.pdf pdf_icon

AUIRGP4063D

PD - 96353 AUIRGB4062D AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IC = 24A, TC = 100 C Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Low Switching Losses 5 s SCSOA E Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM n-channel Positive V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S , AUIRGB4062D , AUIRGP35B60PD , AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D , GT30G122 , AUIRGP4066D1 , AUIRGP50B60PD1 , AUIRGPS4067D1 , AUIRGR4045D , SIW50N65G2H2G , AUIRGS30B60K , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.