IRG4BC10SD-S - аналоги и описание IGBT

 

IRG4BC10SD-S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG4BC10SD-S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.58 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для IRG4BC10SD-S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC10SD-S даташит

 ..1. Size:220K  international rectifier
 irg4bc10sd-s.pdf pdf_icon

IRG4BC10SD-S

PD - 94255 IRG4BC10SD-S IRG4BC10SD-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Standard Speed ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CoPack IGBT Features C Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A S-Series Minimizes power dissipation at up to 3 VCES = 600V KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. VCE(on) typ. = 1.10V Very Tight Vce(on) distrib

 3.1. Size:220K  international rectifier
 irg4bc10sd-l.pdf pdf_icon

IRG4BC10SD-S

PD - 94255 IRG4BC10SD-S IRG4BC10SD-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Standard Speed ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CoPack IGBT Features C Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A S-Series Minimizes power dissipation at up to 3 VCES = 600V KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. VCE(on) typ. = 1.10V Very Tight Vce(on) distrib

 4.1. Size:314K  international rectifier
 irg4bc10sd.pdf pdf_icon

IRG4BC10SD-S

PD -91784B IRG4BC10SD Standard Speed CoPack INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A VCES = 600V S-Series Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. VCE(on) typ. = 1.10V Very Tight Vce(on) distribution G IGB

 5.1. Size:267K  international rectifier
 irg4bc10s.pdf pdf_icon

IRG4BC10SD-S

PD - 91786B IRG4BC10S Standard Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Extremely low voltage drop; 1.1V typical at 2A S-Speed Minimizes power dissipation at up to 3 VCES = 600V KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives, up to 2KHz in VCE(on) typ. = 1.10V Chopper Applications G Very Tight Vce(on) distribution Indust

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRGR4045D , SIW50N65G2H2G , AUIRGS30B60K , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , BT60T60ANFK , IRG4BC15MD , IRG4BC15UD , IRG4BC15UD-L , IRG4BC15UD-S , IRG4BC20MD , IRG4BC20MD-S , IRG4BC20UD-S , IRG4BC20W-S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.