IRG4BC15UD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4BC15UD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.02 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
Тип корпуса: TO220AB
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRG4BC15UD Datasheet (PDF)
irg4bc15ud.pdf

PD - 94082AIRG4BC15UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard TO-220AB package@VGE = 15V, IC = 7.8AEn-channe
irg4bc15ud-s.pdf

PD - 94083AIRG4BC15UD-SIRG4BC15UD-LINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard D2Pak & TO-262 packages@VGE = 15V,
irg4bc15ud-l.pdf

PD - 94083AIRG4BC15UD-SIRG4BC15UD-LINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard D2Pak & TO-262 packages@VGE = 15V,
irg4bc15md.pdf

PD- 94151AIRG4BC15MDShort Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Rugged: 10sec short circuit capable at VGS = 15VVCES = 600V Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications IGBT co-packaged with ultra-soft-recovery anti-parallel diodes VCE(on) typ. = 1.88VG Indus
Другие IGBT... AUIRGS30B60K , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD , HGTG30N60A4 , IRG4BC15UD-L , IRG4BC15UD-S , IRG4BC20MD , IRG4BC20MD-S , IRG4BC20UD-S , IRG4BC20W-S , IRG4BC30FD1 , IRG4BC30FD-S .
History: SPM1003 | APT15GT60KR | TT060U065FB | DM2G150SH12AE
History: SPM1003 | APT15GT60KR | TT060U065FB | DM2G150SH12AE



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet