IRG4PC60U-P - аналоги и описание IGBT

 

IRG4PC60U-P - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG4PC60U-P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 370 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG4PC60U-P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC60U-P даташит

 ..1. Size:122K  international rectifier
 irg4pc60u-p.pdf pdf_icon

IRG4PC60U-P

PD - 94441 IRG4PC60U-P INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Features C UltraFast Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching and VCES = 600V >200 kHz in resonant mode. Application in UPS, Welding and High Current power VCE(on) typ. = 1.6V supply. G Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and hig

 5.1. Size:231K  international rectifier
 irg4pc60upbf.pdf pdf_icon

IRG4PC60U-P

PD - 95568 IRG4PC60UPbF UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies up to 50 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode. Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.6V G parameter distribution and higher efficiency. Industry standard TO-247AC package. @VGE = 15

 5.2. Size:126K  international rectifier
 irg4pc60u.pdf pdf_icon

IRG4PC60U-P

PD - 94441 IRG4PC60U-P INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Features C UltraFast Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching and VCES = 600V >200 kHz in resonant mode. Application in UPS, Welding and High Current power VCE(on) typ. = 1.6V supply. G Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and hig

 6.1. Size:221K  international rectifier
 irg4pc60f.pdf pdf_icon

IRG4PC60U-P

PD - 94442A IRG4PC60F Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Fast Optimized for medium operating VCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.50V G parameter distribution and higher efficiency. Industry standard TO-247AC package. @VGE = 15V, IC = 60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BH20K-L , IRG4BH20K-S , IRG4IBC10UD , IRG4IBC30S , IRG4PC20U , IRG4PC50F-E , IRG4PC50SD , IRG4PC60F , FGD4536 , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U .

History: IXXN110N65B4H1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.