IRG7PH30K10D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG7PH30K10D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7PH30K10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  international rectifier
irg7ph30k10d.pdfpdf_icon

IRG7PH30K10D

PD - 97403IRG7PH30K10DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 1200V Low switching losses 10 S short circuit SOAIC = 16A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM G tSC 10s, TJ(max) = 150C Positive VCE (ON) Temperature co-efficient Ultra

 3.1. Size:321K  international rectifier
irg7ph30k10.pdfpdf_icon

IRG7PH30K10D

PD - 96156AIRG7PH30K10PbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeaturesC Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyVCES = 1200V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 CIC = 23A, TC = 100C 10 S short Circuit SOA Square RBSOA GtSC 10s, TJ(max) =175C 100% of the parts tested for ILM E Positive VCE (ON) Temperature Co-EfficientVC

 7.1. Size:374K  international rectifier
irg7ph35u.pdfpdf_icon

IRG7PH30K10D

PD - 97479IRG7PH35UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH35U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CI NOMINAL = 20A Square RBSOA 100% of the parts tested for ILMGTJ(max) = 175C Positive VCE (ON) temperature co-efficient Tight parameter distributionEVCE(on)

 7.2. Size:300K  international rectifier
irg7ph35ud1m.pdfpdf_icon

IRG7PH30K10D

IRG7PH35UD1MPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT TechnologyVCES = 1200V Low Switching Losses Square RBSOAIC = 25A, TC = 100C Ultra-Low VF Diode 1300Vpk Repetitive Transient CapacityGTJ(max) = 150C 100% of the Parts Tested for ILM

Другие IGBT... IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U , IRG7PA19U , IRG7PC28U , IRG7PH30K10 , IRGP4063D , IRG7PH35U , IRG7PH35UD , IRG7PH35UD1 , IRG7PH42U , IRG7PH42UD , IRG7PH42UD1 , IRG7PH46U , IRG7PH46UD .

 

 
Back to Top

 


 
.