Справочник IGBT. IRG7PH46U

 

IRG7PH46U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRG7PH46U

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 469

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 130

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IRG7PH46U

 

 

IRG7PH46U Datasheet (PDF)

0.1. irg7ph46u.pdf Size:297K _international_rectifier

IRG7PH46U
IRG7PH46U

PD - 96305AIRG7PH46UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH46U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 75A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVC

0.2. irg7ph46ud-e.pdf Size:351K _international_rectifier

IRG7PH46U
IRG7PH46U

IRG7PH46UDPbFIRG7PH46UD-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 40A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode Tight parame

 0.3. irg7ph46ud.pdf Size:351K _international_rectifier

IRG7PH46U
IRG7PH46U

IRG7PH46UDPbFIRG7PH46UD-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 40A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode Tight parame

Другие IGBT... IRG7PH30K10 , IRG7PH30K10D , IRG7PH35U , IRG7PH35UD , IRG7PH35UD1 , IRG7PH42U , IRG7PH42UD , IRG7PH42UD1 , SGW25N120 , IRG7PH46UD , IRG7PH50U , IRG7PH50U-E , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U .

 

 
Back to Top