Справочник IGBT. IRG7PH46U

 

IRG7PH46U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG7PH46U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

 

IRG7PH46U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  international rectifier
irg7ph46u.pdf pdf_icon

IRG7PH46U
IRG7PH46U

PD - 96305AIRG7PH46UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH46U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 75A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVC

 0.1. Size:351K  international rectifier
irg7ph46ud-e.pdf pdf_icon

IRG7PH46U
IRG7PH46U

IRG7PH46UDPbFIRG7PH46UD-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 40A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode Tight parame

 0.2. Size:351K  international rectifier
irg7ph46ud.pdf pdf_icon

IRG7PH46U
IRG7PH46U

IRG7PH46UDPbFIRG7PH46UD-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 40A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode Tight parame

 7.1. Size:299K  international rectifier
irg7ph42u-ep.pdf pdf_icon

IRG7PH46U
IRG7PH46U

PD - 96233BIRG7PH42UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH42U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 60A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVC

Другие IGBT... IRG7PH30K10 , IRG7PH30K10D , IRG7PH35U , IRG7PH35UD , IRG7PH35UD1 , IRG7PH42U , IRG7PH42UD , IRG7PH42UD1 , MBQ50T65FDSC , IRG7PH46UD , IRG7PH50U , IRG7PH50U-EP , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U .

 

 
Back to Top