Справочник IGBT. IRG7PH50U

 

IRG7PH50U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG7PH50U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7PH50U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  international rectifier
irg7ph50u.pdfpdf_icon

IRG7PH50U

PD - 97549IRG7PH50UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH50U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 90A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVCE

 0.1. Size:361K  international rectifier
irg7ph50u-e.pdfpdf_icon

IRG7PH50U

PD - 97549IRG7PH50UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH50U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 90A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVCE

 6.1. Size:561K  international rectifier
irg7ph50k10d.pdfpdf_icon

IRG7PH50U

IRG7PH50K10DPbF IRG7PH50K10D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode C C VCES = 1200V C IC = 50A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C GC E G VCE(ON) typ. = 1.9V @ IC = 35A C E E G n-channelIRG7PH50K10DPbFIRG7PH50K10DEPbFApplications Industrial Motor Drive G C E UPS Gate Collector Emitter So

 8.1. Size:299K  international rectifier
irg7ph42u-ep.pdfpdf_icon

IRG7PH50U

PD - 96233BIRG7PH42UPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRG7PH42U-EPFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Maximum junction temperature 175 CIC = 60A, TC = 100C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM GTJ(max) =175C Positive VCE (ON) temperature co-efficientE Tight parameter distributionVC

Другие IGBT... IRG7PH35U , IRG7PH35UD , IRG7PH35UD1 , IRG7PH42U , IRG7PH42UD , IRG7PH42UD1 , IRG7PH46U , IRG7PH46UD , SGT40N60FD2PN , IRG7PH50U-EP , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U .

History: IRGIB15B60KD1 | APT27GA90SD15 | SG40T120DB | SGM50HF12A1TFDT4 | OST75N65HSMF | IRGC100B60UB | IRGP4063D1

 

 
Back to Top

 


 
.