IRGB4056D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: IRGB4056D 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF
Тип корпуса: TO220AB
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRGB4056D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IRGB4056D даташит
irgb4056d.pdf
PD - 97188A IRGB4056DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 12A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
irgb4056dpbf.pdf
PD - 97188A IRGB4056DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 12A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
irgb4059dpbf.pdf
PD - 97072A IRGB4059DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 4.0A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tsc > 5 s, Tjmax = 175 C Maximum Junction temperature 175 C 5 s SCSOA E Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.75V n-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat
irgb4059d.pdf
PD - 97072A IRGB4059DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 4.0A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tsc > 5 s, Tjmax = 175 C Maximum Junction temperature 175 C 5 s SCSOA E Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.75V n-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat
Другие IGBT... IRG7SC12F, IRG7SC28U, IRGB10B60KD, IRGB14C40L, IRGB15B60KD, IRGB20B60PD1, IRGB30B60K, IRGB4045D, IRGP4066D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, IRGB4062D, IRGB4064D, IRGB4086, IRGB4B60K, IRGB4B60KD1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m




