IRGB4062D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGB4062D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGB4062D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB4062D даташит

 ..1. Size:434K  international rectifier
 irgb4062d.pdf pdf_icon

IRGB4062D

IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E

 0.1. Size:415K  international rectifier
 irgp4062dpbf irgb4062dpbf irgp4062d-epbf.pdf pdf_icon

IRGB4062D

IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E

 0.2. Size:621K  international rectifier
 auirgb4062d auirgp4062d auirgp4062d-e.pdf pdf_icon

IRGB4062D

PD - 96353 AUIRGB4062D AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IC = 24A, TC = 100 C Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Low Switching Losses 5 s SCSOA E Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM n-channel Positive V

 0.3. Size:415K  international rectifier
 auirgb4062d1.pdf pdf_icon

IRGB4062D

AUIRGB4062D1 AUIRGS4062D1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGSL4062D1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5 s SCSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGB15B60KD, IRGB20B60PD1, IRGB30B60K, IRGB4045D, IRGB4056D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D, GT30F131, IRGB4064D, IRGB4086, IRGB4B60K, IRGB4B60KD1, IRGB5B120KD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K