Аналоги IRGI4090. Основные параметры
Наименование: IRGI4090
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.67 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 59 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRGI4090
IRGI4090 даташит
irgi4090.pdf
PD - 97318A IRGI4090PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 300 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A 1.20 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 140 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea
irgi4086.pdf
PD - 96223 IRGI4086PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min l Advanced Trench IGBT Technology 300 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 25A 1.29 V Circuits in PDP Applications IRP max @ TC= 25 C A 230 l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for Improved Panel Efficiency l High Repetitive Peak Current Capability C
Другие IGBT... IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , MGD623S , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor


