Справочник IGBT. IRGI4090

 

IRGI4090 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGI4090
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.67 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 59 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 34 nC
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGI4090 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  international rectifier
 irgi4090.pdf pdf_icon

IRGI4090

PD - 97318AIRGI4090PbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min300 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A1.20 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 140 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lea

 8.1. Size:303K  international rectifier
 irgi4086.pdf pdf_icon

IRGI4090

PD - 96223IRGI4086PbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE minl Advanced Trench IGBT Technology 300 Vl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 25A1.29 VCircuits in PDP ApplicationsIRP max @ TC= 25C A230l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor Improved Panel Efficiencyl High Repetitive Peak Current CapabilityC

Другие IGBT... IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRG4PC50U , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E .

History: AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD | IXGP12N100

 

 
Back to Top

 


 
.