IRGIB6B60KD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGIB6B60KD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 11 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGIB6B60KD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGIB6B60KD даташит

 ..1. Size:277K  international rectifier
 irgib6b60kd.pdf pdf_icon

IRGIB6B60KD

PD-94427D IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features IC = 6.0A, TC=90 C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. G 10 s Short Circuit Capability. tsc > 10 s, TJ=175 C Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. E Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 9.1. Size:282K  international rectifier
 irgib15b60kd1.pdf pdf_icon

IRGIB6B60KD

PD- 94599A IRGIB15B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 12A, TC=100 C Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 9.2. Size:392K  international rectifier
 irgib10b60kd1p.pdf pdf_icon

IRGIB6B60KD

 9.3. Size:382K  international rectifier
 irgib15b60kd1p.pdf pdf_icon

IRGIB6B60KD

PD- 94914 IRGIB15B60KD1P INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 12A, TC=100 C Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGB5B120KD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K, IRGI4086, IRGI4090, IRGIB10B60KD1, IRGIB15B60KD1, NGTB75N65FL2, IRGIB7B60KD, IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD, IRGP30B120KD-E, IRGP30B60KD-E, IRGP35B60PD, IRGP35B60PD-EP