Справочник IGBT. IRGIB6B60KD

 

IRGIB6B60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGIB6B60KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 11 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRGIB6B60KD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGIB6B60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
irgib6b60kd.pdfpdf_icon

IRGIB6B60KD

PD-94427DIRGIB6B60KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeaturesIC = 6.0A, TC=90C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.G 10s Short Circuit Capability.tsc > 10s, TJ=175C Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.E Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 9.1. Size:282K  international rectifier
irgib15b60kd1.pdfpdf_icon

IRGIB6B60KD

PD- 94599AIRGIB15B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 9.2. Size:392K  international rectifier
irgib10b60kd1p.pdfpdf_icon

IRGIB6B60KD

IRGIB10B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 10A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E

 9.3. Size:382K  international rectifier
irgib15b60kd1p.pdfpdf_icon

IRGIB6B60KD

PD- 94914IRGIB15B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

Другие IGBT... IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRG4PC50UD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , IRGP30B60KD-E , IRGP35B60PD , IRGP35B60PD-EP .

 

 
Back to Top

 


 
.