IRGP20B120UD-E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: IRGP20B120UD-E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.05 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP20B120UD-E
IRGP20B120UD-E Datasheet (PDF)
irgp20b120ud-e.pdf
PD- 93817 IRGP20B120UD-E UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 1200V UltraFast Non Punch Through (NPT) Technology VCE(on) typ. = 3.05V Low Diode VF (1.67V Typical @ 20A & 25 C) 10 s Short Circuit Capability G Square RBSOA VGE = 15V, IC = 20A, 25 C UltraSoft Diode Recovery Characte
irgp20b120u-e.pdf
PD- 94117 IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast IGBT Features UltraFast Non Punch Through (NPT) C Technology 10 s Short Circuit capability VCES = 1200V Square RBSOA Positive VCE(on) Temperature Coefficient VCE(on) typ. = 3.05V G Extended lead TO-247 package VGE = 15V, IC = 20A, 25 C E Benefits n-channel Benchmark efficiency
irgp20b60pd.pdf
PD - 94626 SMPS IGBT IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters RCE(on) typ. = 158m Features E NPT Technology, Po
irgp20b60pdpbf.pdf
PD - 95558 SMPS IGBT IRGP20B60PDPbF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Applications VCE(on) typ. = 2.05V Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 13.0A PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET Consumer Electronics Power Supplies G Parameters Lead-Free RCE(on) typ. = 158m E Features ID
Другие IGBT... IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , FGH30S130P , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , IRGP30B60KD-E , IRGP35B60PD , IRGP35B60PD-EP , IRGP4050 , IRGP4062D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40





