Справочник IGBT. IRGP35B60PD-EP

 

IRGP35B60PD-EP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP35B60PD-EP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 308 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 265 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRGP35B60PD-EP

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP35B60PD-EP Datasheet (PDF)

 1.1. Size:396K  international rectifier
 auirgp35b60pd-e.pdf pdf_icon

IRGP35B60PD-EP

PD - 97619AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PD-EWARP2 SERIES IGBT WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesGParameters Minimal Tail CurrentRCE(on) typ. = 84m HEXFRED Ultra Fast Soft-Recov

 1.2. Size:408K  international rectifier
 irgp35b60pd-e.pdf pdf_icon

IRGP35B60PD-EP

PD - 96169SMPS IGBTIRGP35B60PD-EPWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters Lead-FreeRCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET

 3.1. Size:290K  international rectifier
 auirgp35b60pd.pdf pdf_icon

IRGP35B60PD-EP

PD - 97675AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PDWARP2 SERIES IGBT WITHC VCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesG Minimal Tail CurrentParameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack DiodeRCE(on)

 3.2. Size:384K  international rectifier
 irgp35b60pdpbf.pdf pdf_icon

IRGP35B60PD-EP

SMPS IGBT PD - 95329IRGP35B60PDPbFWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters Lead-FreeRCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , IRGP30B60KD-E , IRGP35B60PD , IXRH40N120 , IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E .

 

 
Back to Top

 


 
.