IRGP4066D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4066D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 454 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4066D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4066D даташит

 ..1. Size:331K  international rectifier
 irgp4066d.pdf pdf_icon

IRGP4066D

PD - 97576 IRGP4066DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4066D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.1. Size:315K  international rectifier
 irgp4066dpbf irgp4066d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4066D

PD - 97576 IRGP4066DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4066D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.2. Size:331K  international rectifier
 irgp4066d-e.pdf pdf_icon

IRGP4066D

PD - 97576 IRGP4066DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4066D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 75A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.3. Size:363K  international rectifier
 auirgp4066d1.pdf pdf_icon

IRGP4066D

AUIRGP4066D1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4066D1-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features IC(Nominal) = 75A Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA E VCE(on) typ. = 1.70V Square RBSOA n-channel 100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP30B60KD-E, IRGP35B60PD, IRGP35B60PD-EP, IRGP4050, IRGP4062D, IRGP4063, IRGP4063D, IRGP4066, TGPF30N43P, IRGP4066D-E, IRGP4066-E, IRGP4068D, IRGP4068D-E, IRGP4069, IRGP4069D, IRGP4072D, IRGP4086