IRGPS40B120UD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGPS40B120UD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.12 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF

Тип корпуса: TO274AA

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGPS40B120UD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGPS40B120UD даташит

 ..1. Size:134K  international rectifier
 irgps40b120ud.pdf pdf_icon

IRGPS40B120UD

PD- 94240A IRGPS40B120UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT C VCES = 1200V Features Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. VCE(on) typ. = 3.12V 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G @ VGE = 15V, Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffi

 2.1. Size:113K  international rectifier
 irgps40b120u.pdf pdf_icon

IRGPS40B120UD

PD- 94295D IRGPS40B120U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast IGBT C VCES = 1200V Features Non Punch Through IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. VCE(on) typ. = 3.12V Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. G @ VGE = 15V, Super-247 Package. E n-channel ICE = 40A, Tj=25 C Benefits Benchmark Efficiency for Motor Control

 7.1. Size:306K  international rectifier
 auirgps4067d1.pdf pdf_icon

IRGPS40B120UD

PD - 97726C AUTOMOTIVE GRADE AUIRGPS4067D1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features IC = 160A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses 6 s SCSOA G tSC 6 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E VCE(on) typ. = 1.70V Positive VCE (on) Tempera

 7.2. Size:272K  international rectifier
 irgps4067d.pdf pdf_icon

IRGPS40B120UD

PD - 97736 IRGPS4067DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses IC(Nominal) = 120A 5 s SCSOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E VCE(on) typ. = 1.70V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4069, IRGP4069D, IRGP4072D, IRGP4086, IRGP50B60PD, IRGP50B60PD1, IRGP50B60PD1-EP, IRGPS40B120U, NCE60TD60BT, IRGPS60B120KD, IRGR3B60KD2, IRGS10B60KD, IRGS15B60K, IRGS15B60KD, IRGS30B60K, IRGS4056D, IRGS4062D