RJH30H1DPP-M0 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: RJH30H1DPP-M0
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для RJH30H1DPP-M0
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
RJH30H1DPP-M0 даташит
rjh30h1dpp-m0.pdf
Preliminary Datasheet RJH30H1DPP-M0 R07DS0463EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Built-in F
r07ds0463ej rjh30h1dpp.pdf
Preliminary Datasheet RJH30H1DPP-M0 R07DS0463EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Built-in F
r07ds0464ej rjh30h2dpk.pdf
Preliminary Datasheet RJH30H2DPK-M0 R07DS0464EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Built-in Fa
rjh30h2dpk-m0.pdf
Preliminary Datasheet RJH30H2DPK-M0 R07DS0464EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Built-in Fa
Другие IGBT... RJH1CD7DPQ-A0 , RJH1CD7DPQ-E0 , RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 , IRGP4063D , RJH30H2DPK-M0 , RJH6086BDPK , RJH6087BDPK , RJH6088BDPK , RJH60D0DPM , RJH60D0DPQ-A0 , RJH60D5DPM , RJH60D5DPQ-A0 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor