RJP60D0DPK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJP60D0DPK  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP60D0DPK

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP60D0DPK даташит

 ..1. Size:78K  renesas
 r07ds0166ej rjp60d0dpk.pdf pdf_icon

RJP60D0DPK

Preliminary Datasheet RJP60D0DPK R07DS0166EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 13, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outli

 ..2. Size:75K  renesas
 rjp60d0dpk.pdf pdf_icon

RJP60D0DPK

Preliminary Datasheet RJP60D0DPK R07DS0166EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 13, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outli

 5.1. Size:75K  renesas
 r07ds0088ej rjp60d0dpm.pdf pdf_icon

RJP60D0DPK

Preliminary Datasheet RJP60D0DPM R07DS0088EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Nov 16, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15V, Ta = 25 C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outlin

 5.2. Size:79K  renesas
 r07ds0173ej rjp60d0dpp.pdf pdf_icon

RJP60D0DPK

Preliminary Datasheet RJP60D0DPP-M0 R07DS0173EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Mar 11, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60F5DPK, RJH60C9DPD, RJH60D1DPP-M0, RJH60D1DPE, RJH60D2DPP-M0, RJH60D2DPE, RJH60D3DPP-M0, RJH60D3DPE, STGB10NB37LZ, RJH60D5DPK, RJH60D6DPK, RJH60D7DPK, RJH60D0DPK, RJP60D0DPM, TIG110BF, TIG110GMH, TIG111BF