GT30F125 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT30F125
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор IGBT транзистора по параметрам