GT30F125 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT30F125

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для GT30F125

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30F125 даташит

No data!

Другие IGBT... APT13GP120K, APT15GP60B, APT15GP60BDF1, APT15GP60BDQ1, APT15GP60BSC, APT15GP60K, GT60N321, GT30F124, GT30F133, GT45F127, GT45F128, GT30F131, GT30G124, GT30G125, GT45G127, GT45G128, GT30J124