GT30G124 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: GT30G124 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Тип корпуса: TO220SIS
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для GT30G124
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
GT30G124 даташит
No data!
Другие IGBT... APT15GP60BSC, APT15GP60K, GT60N321, GT30F124, GT30F125, GT45F127, GT45F128, GT30F131, IRG4PC50W, GT30G125, GT45G127, GT45G128, GT30J124, GT5G133, GT5J301, GT8G151, GT10G131
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869
