GT45G127 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT45G127
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор IGBT транзистора по параметрам