GT8G121 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT8G121
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2300 nS
Тип корпуса: DPAK
- подбор IGBT транзистора по параметрам
GT8G121 Datasheet (PDF)
gt8g121.pdf

GT8G121 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT8G121 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS 4th Generation (Trench Gate Structure) Enhancement-Mode Low Saturation Voltage : V = 7 V (Max.) (@I = 150 A) CE (sat) C 4 V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VDC VGES 6 VG
gt8g151.pdf

GT8G151 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT8G151 Strobe Flash Applications Unit: mmUnit: mm Enhancement-mode TSON-8TSON-8 Low gate drive voltage: VGE = 2.5 V (min.) (@IC = 150 A) Peak collector current: IC = 150 A (max) 0.650.050.650.058 7 6 58 7 6 5 Compact and Thin (TSON-8) package Absolute Maximum Ratings (Ta =
gt8g103.pdf

GT8G103 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT8G103 STROBE FLASH APPLICATIONS Unit: mm 3rd Generation (A) Enhancement-Mode Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 8 V (Max.) (@IC = 150 A) 4.5 V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 V(B) DC VGES 6 VGate-
Другие IGBT... GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , RJH60F5DPQ-A0 , GT8G121LB , GT8J101 , GT8J102 , GT8N101 , GT8Q101 , GT8Q102 , HGT1S10N120BNS , HGT1S11N120CNS .
History: MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | SKM200GA123D | STGE50NC60WD | AOD5B65M1H | IXGH12N120A3 | DL2G75SH6A
History: MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | SKM200GA123D | STGE50NC60WD | AOD5B65M1H | IXGH12N120A3 | DL2G75SH6A



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318