Справочник IGBT. GT10J303

 

GT10J303 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT10J303

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: 2-10R1C

Аналог (замена) для GT10J303

 

 

GT10J303 Datasheet (PDF)

1.1. gt10j303 en wm 20061031.pdf Size:492K _toshiba

GT10J303
GT10J303

GT10J303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT10J303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30?s (Max.) (IC = 10A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 10A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

3.1. gt10j301 061031.pdf Size:493K _toshiba

GT10J303
GT10J303

GT10J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT10J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30?s (Max.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C) CHARA

 4.1. gt10j321 en wm 20061101.pdf Size:223K _toshiba

GT10J303
GT10J303

GT10J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10J321 High Power Switching Applications Unit: mm Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) • High speed: tf = 0.03 ?s (typ.) • Low switching loss : Eon = 0.26 mJ (typ.) : Eoff = 0.18 mJ

Другие IGBT... GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , GT10G131 , IRGP50B60PD1 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 , GT30J324 .

Back to Top

 


GT10J303
  GT10J303
  GT10J303
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top