APT50GF60JU3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: APT50GF60JU3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 118 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 255 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 175 nC
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для APT50GF60JU3
APT50GF60JU3 Datasheet (PDF)
apt50gf60ju3.pdf

APT50GF60JU3ISOTOP Buck chopper VCES = 600V IC = 50A @ Tc = 90CNPT IGBT CApplication AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies GFeatures Non Punch Through (NPT) THUNDERBOLT IGBT - Low voltage dropE- Low tail current - Switching frequency up to 100 kHz - Soft recovery parallel diodes - Low diode VF - Low leakage current - Avalanche
apt50gf60ju2.pdf

APT50GF60JU2ISOTOP Boost chopper VCES = 600V IC = 50A @ Tc = 90CNPT IGBT KApplication AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction C Brake switch Features G Non Punch Through (NPT) THUNDERBOLT IGBT - Low voltage drop- Low tail current - Switching frequency up to 100 kHz - Soft recovery parallel diodes -
apt50gf60ar.pdf

APT50GF60AR600V 55AFast IGBTTO-3The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using(TO-204AE)Non-Punch Through Technology the Fast IGBT offers superior ruggedness,fast switching speed and low Collector-Emitter On voltage. Low Forward Voltage Drop High Freq. Switching to 20KHzC Low Tail Current Ultra Low Leakage Current Avalanche Rated
apt50gf60b2rd apt50gf60lrd.pdf

APT50GF60B2RDAPT50GF60LRD600V 80AAPT50GF60B2RDFast IGBT & FREDT-MaxTO-264(B2RD)The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-(LRD)Punch Through Technology the Fast IGBT combined with an APT free-wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superiorruggedness and fast switching speed.GGC Low Forward Voltage Drop
Другие IGBT... APT45GP120J , APT45GP120JDF2 , APT50GF120B2R , APT50GF120JRD , APT50GF60B2RD , APT50GF60BR , APT50GF60HR , APT50GF60JU2 , TGPF30N43P , APT50GN120B2 , APT50GP60B , APT50GP60B2DF2 , APT50GP60J , APT50GP60JDF2 , APT50GP60S , APT50GT120JU2 , APT50GT120JU3 .
History: APT50GP60J
History: APT50GP60J



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet