HGT1S12N60C3S9A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGT1S12N60C3S9A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGT1S12N60C3S9A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGT1S12N60C3S9A даташит

 0.1. Size:169K  1
 hgt1s12n60c3s9a.pdf pdf_icon

HGT1S12N60C3S9A

HGTP12N60C3, HGT1S12N60C3S Data Sheet December 2001 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Features The HGTP12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated 24A, 600V at TC = 25oC high voltage switching devices combining the best features 600V Switching SOA Capability of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 230ns a

 1.1. Size:181K  1
 hgtp12n60c3 hgt1s12n60c3 hgt1s12n60c3s.pdf pdf_icon

HGT1S12N60C3S9A

 2.1. Size:206K  1
 hgtp12n60c3d hgt1s12n60c3d hgt1s12n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S12N60C3S9A

 2.2. Size:734K  1
 hgtg12n60c3dr hgtp12n60c3dr hgt1s12n60c3dr hgt1s12n60c3drs.pdf pdf_icon

HGT1S12N60C3S9A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S12N60C3D, HGT1S12N60C3DR, HGT1S12N60C3DRS, HGT1S12N60C3DS, HGTP12N60C3R, HGT1S12N60C3R, HGT1S12N60C3RS, HGT1S12N60C3S, TGD30N40P, HGT1S1N120BNDS9A, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS, HGT1S14N36G3VLS9A, HGT1S1N120BNDS, HGT1S1N120CNDS, HGT1S20N35G3VL, HGT1S20N35G3VLS