Справочник IGBT. CPV362M4UPBF

 

CPV362M4UPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CPV362M4UPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 39 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 31 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CPV362M4UPBF

 

 

CPV362M4UPBF Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , RJP63F3DPP-M0 , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 .