AP30G120CSW-HF - аналоги и описание IGBT

 

AP30G120CSW-HF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AP30G120CSW-HF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AP30G120CSW-HF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP30G120CSW-HF даташит

 ..1. Size:99K  ape
ap30g120csw-hf.pdfpdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120CSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=2.9V@IC=30A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

 6.1. Size:97K  ape
ap30g120sw.pdfpdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120SW Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High speed switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=3.0V@IC=30A C CO-PAK, IGBT with FRD G TO-3P G RoHS Compliant C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V

 6.2. Size:99K  ape
ap30g120bsw-hf.pdfpdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120BSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=2.9V@IC=30A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

 6.3. Size:95K  ape
ap30g120w.pdfpdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120W Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 1100V High speed switching IC 30A Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A C G Industry Standard TO-3P Package G RoHS Compliant TO-3P C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1100 V

Другие IGBT... APT20GF120KRG , APT30GN60BG , APT30GN60KG , AP30G120W , AP30G100W , AOK30B60D1 , AP30G120ASW , AP30G120BSW-HF , GT30G122 , AP30G120SW , APT28GA60BD15 , APT27GA90BD15 , APT27GA90K , APT27GA90SD15 , APT28GA60K , TGAN20N135FD , TGAN20N120FD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.