Справочник IGBT. AP30G120CSW-HF

 

AP30G120CSW-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP30G120CSW-HF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 63 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AP30G120CSW-HF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP30G120CSW-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  ape
 ap30g120csw-hf.pdf pdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120CSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=2.9V@IC=30AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

 6.1. Size:97K  ape
 ap30g120sw.pdf pdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120SWPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High speed switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=3.0V@IC=30AC CO-PAK, IGBT with FRDGTO-3PG RoHS Compliant CEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 V

 6.2. Size:99K  ape
 ap30g120bsw-hf.pdf pdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120BSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30AVCE(sat)=2.9V@IC=30AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

 6.3. Size:95K  ape
 ap30g120w.pdf pdf_icon

AP30G120CSW-HF

AP30G120WPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 1100V High speed switching IC 30A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.0V@IC=30ACG Industry Standard TO-3P PackageG RoHS Compliant TO-3PCEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GF120KRG , APT30GN60BG , APT30GN60KG , AP30G120W , AP30G100W , AOK30B60D1 , AP30G120ASW , AP30G120BSW-HF , IRGB20B60PD1 , AP30G120SW , APT28GA60BD15 , APT27GA90BD15 , APT27GA90K , APT27GA90SD15 , APT28GA60K , TGAN20N135FD , TGAN20N120FD .

History: IXXH50N60B3 | APT27GA90BD15 | STGWA40S120DF3 | IXGT60N60 | MPBD6N65ESF | AP30G40GEO-HF | AOKS40B60D1

 

 
Back to Top

 


 
.