APT36GA60S - аналоги и описание IGBT

 

APT36GA60S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: APT36GA60S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 226 pF

Тип корпуса: TO268AB

 Аналог (замена) для APT36GA60S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT36GA60S даташит

 ..1. Size:208K  microsemi
apt36ga60b apt36ga60s.pdfpdf_icon

APT36GA60S

APT36GA60B APT36GA60S 600V High Speed PT IGBT APT36GA60S POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - D3PAK VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies prov

 0.1. Size:237K  microsemi
apt36ga60bd15 apt36ga60sd15.pdfpdf_icon

APT36GA60S

APT36GA60BD15 APT36GA60SD15 600V High Speed PT IGBT APT36GA60SD15 POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A D3PAK reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres

 9.1. Size:137K  microsemi
apt36n90bc3g.pdfpdf_icon

APT36GA60S

900V 36A APT36N90BC3G* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. Super Junction MOSFET D3 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy Rated D Extreme dv/dt Rated Dual die (parallel) G Popular T-MAX Package S Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This de

Другие IGBT... RJH1CF7RDPQ-80 , VS-GA100NA60UP , APT35GP120JDQ2 , APT40GP90JDQ2 , APT46GA90JD40 , APT40GP60JDQ2 , APT36GA60B , APT36GA60BD15 , FGPF4536 , APT36GA60SD15 , APT35GA90B , APT35GA90BD15 , APT35GA90S , APT35GA90SD15 , IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.