Справочник IGBT. APT54GA60BD30

 

APT54GA60BD30 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: APT54GA60BD30
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 54 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 350 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 158 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для APT54GA60BD30

 

 

APT54GA60BD30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  microsemi
 apt54ga60bd30.pdf

APT54GA60BD30 APT54GA60BD30

APT54GA60BD30 APT54GA60SD30 600V High Speed PT IGBTPOWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is APT54GA60SD30achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A D3PAKreduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT tech-nologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/

 4.1. Size:210K  microsemi
 apt54ga60b apt54ga60s.pdf

APT54GA60BD30 APT54GA60BD30

APT54GA60B APT54GA60S600V High Speed PT IGBTPOWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved APT54GA60Sthrough leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - D3PAKVCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies pro

 5.1. Size:244K  microsemi
 apt54ga60sd30.pdf

APT54GA60BD30 APT54GA60BD30

APT54GA60BD30 APT54GA60SD30 600V High Speed PT IGBTPOWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is APT54GA60SD30achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A D3PAKreduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT tech-nologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top