IRG7PH42UD-EP - аналоги и описание IGBT

 

IRG7PH42UD-EP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG7PH42UD-EP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF

Тип корпуса: TO247AD

 Аналог (замена) для IRG7PH42UD-EP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7PH42UD-EP даташит

 ..1. Size:435K  international rectifier
 irg7ph42ud-ep.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD-EP

PD - 97391B IRG7PH42UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH42UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diod

 4.1. Size:1498K  international rectifier
 irg7ph42udpbf.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD-EP

 4.2. Size:283K  international rectifier
 irg7ph42ud1m.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD-EP

IRG7PH42UD1MPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C Ultra-low VF Diode TJ(max) = 150 C 1300Vpk repetitive transient capacity G 100% of the parts tested for ILM VCE

 4.3. Size:435K  international rectifier
 irg7ph42ud.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD-EP

PD - 97391B IRG7PH42UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH42UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diod

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOK60B60D1 , APT50GS60BRDQ2G , APT50GS60SRDQ2G , IRG7PH46UD-E , IRG7PH42U-EP , APT50GN60BG , APT60GA60JD60 , IRGP4063-E , GT45F122 , APT47GA60JD40 , AP50G60W-HF , AOK30B60D , APT25GN120B2DQ2G , APT25GN120BG , APT25GN120SG , IRGP4069D-E , IRGP4069-E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.