AP20GT60P-HF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: AP20GT60P-HF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP20GT60P-HF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
AP20GT60P-HF даташит
ap20gt60p-hf.pdf
AP20GT60P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V High Speed Switching IC 20A G Low Saturation Voltage TO-220(P) C E VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20A C RoHS Compliant & Halogen-Free G E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emi
ap20gt60asp-hf.pdf
AP20GT60ASP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V High Speed Switching IC 19A G Low Saturation Voltage TO-220(P) C E VCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant Product G E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter Vol
ap20gt60sw.pdf
AP20GT60SW RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V C High Speed Switching IC 20A Low Saturation Voltage VCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A C G Built-in Fast Recovery Diode C TO-3P G E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter V
ap20gt60i.pdf
AP20GT60I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V High Speed Switching IC 20A G Low Saturation Voltage C E TO-220CFM(I) VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20A C RoHS Compliant Product G E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter Vol
Другие IGBT... STGP19NC60H , NGB18N40A , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , IXYJ20N120C3D1 , STGW60V60DF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , TGD30N40P .
History: APT36GA60BD15
History: APT36GA60BD15
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent






