CPV363M4KPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CPV363M4KPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 11 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.72 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 61 nC
Тип корпуса: SIP
CPV363M4KPBF Datasheet (PDF)
cpv363m4kpbf.pdf

CPV363M4KPbFVishay High Power ProductsIGBT SIP Module(Short Circuit Rated Ultrafast IGBT)FEATURES Short circuit rated ultrafast: Optimized for highspeed over 5.0 kHz (see fig. 1 for current vs.frequency curve), and short circuit rated to 10 sRoHSCOMPLIANTat 125 C, VGE = 15 V Fully isolated printed circuit board mount package Switching-loss rating includes al
cpv363m4k.pdf

PD-5.043ACPV363M4KShort Circuit Rated UltraFast IGBTIGBT SIP MODULE1Features Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short CircuitD1 D3 D5Q1 Q3 Q5 Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V3 9 15 Fully isolated printed circuit board mount package4 10 16 Switching-loss rating includes all "tail" lossesD2 D4 D6Q2 Q4 Q
cpv363m4f.pdf

PD -5038CPV363M4FP IGBT SIP MODULE Fast IGBT1Features Fully isolated printed circuit board mount packageD1 D3 D5 Switching-loss rating includes all "tail" lossesQ1 Q3 Q53 9 15 HEXFREDTM soft ultrafast diodes4 10 16 Optimized for medium operating (1 to 10 kHz)D2 D4 D6 See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve Q2 Q4 Q66 12 18Product Summary71 3 1 9
cpv363m4u.pdf

PD -5039CPV363M4UP IGBT SIP MODULE UltraFast IGBT1Features Fully isolated printed circuit board mount packageD1 D3 D5 Switching-loss rating includes all "tail" lossesQ1 Q3 Q53 9 15 HEXFREDTM soft ultrafast diodes4 10 16 Optimized for high operating frequency (over 5kHz)D2 D4 D6 See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve Q2 Q4 Q66 12 18Product Summar
Другие IGBT... AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF , FGPF4533 , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416