Справочник IGBT. IKA08N65F5

 

IKA08N65F5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKA08N65F5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K08F655
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10.8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 16 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 22 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IKA08N65F5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKA08N65F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2334K  infineon
 ika08n65f5.pdf pdf_icon

IKA08N65F5

IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKA08N65F5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKA08N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal

 6.1. Size:2335K  infineon
 ika08n65h5.pdf pdf_icon

IKA08N65F5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKA08N65H5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKA08N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode

 6.2. Size:3302K  infineon
 ika08n65et6.pdf pdf_icon

IKA08N65F5

IKA08N65ET6TRENCHSTOP IGBT6IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallelRapid diodeCFeatures and Benefits: Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175C Short circuit withstand time 3sTrench and field-stop technology for 650V applications offers :G very tight parameter distributionE high rugg

Другие IGBT... NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 , NGTB50N65FL2WG , IRG8P60N120KD , TIG056BF-1E , STGF30H60DF , JT075N065WED , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , IRGR2B60KD , STGF20H60DF .

History: FGY40T120SMD

 

 
Back to Top

 


 
.