STGFW40H65FB - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGFW40H65FB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Тип корпуса: TO3PF
Аналог (замена) для STGFW40H65FB
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGFW40H65FB даташит
stgfw40h65fb stgw40h65fb stgwa40h65fb.pdf
STGFW40H65FB, STGW40H65FB, STGWA40H65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 3 2 3 1 2 High speed switching series 1 TO-3PF TO-247 Minimized tail current Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ) @ IC = 40 A Safe paralleling 3 2 1 Tight parameter distributio
stgfw40h65fb.pdf
STGW40H65FB, STGFW40H65FB, STGWT40H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 High speed switching series 3 Minimized tail current 2 1 Very low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V TAB TO-3PF (typ.) @ IC = 40 A Tight parameters distribution
stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf
STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60F Datasheet Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 1 2 2 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A D PAK TO-3PF Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 2 2 1
stgfw40v60f.pdf
STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A 3 D2PAK 2 1 Tight parameters distribution TAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal
Другие IGBT... IRGB4059DPBF , IRGB4607D , IRGR4607D , IRGS4607D , STGFW20H65FB , STGFW30H65FB , STGFW30V60DF , STGFW30V60F , TGD30N40P , STGD6NC60H-1 , STGFW40V60F , STGFW40V60DF , RJH60V2BDPE , IKP08N65F5 , IKP08N65H5 , IKD04N60RA , IRG4MC30F .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50






