STGFW40V60F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGFW40V60F
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GFW40V60F
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 226 nC
Тип корпуса: TO3PF
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGFW40V60F Datasheet (PDF)
stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221
stgfw40v60f.pdf

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal
stgfw40v60df.pdf

STGFW40V60DF, STGW40V60DF, STGWT40V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off3 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A21 Tight parameters distributionTABTO-3PF Safe paralleling Low thermal resistance Very fast
stgfw40v60df stgw40v60df stgwt40v60df.pdf

STGFW40V60DF, STGW40V60DF, STGWT40V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature: T = 175 C J Tail-less switching off V = 1.8 V (typ.) @ I = 40 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Very fast soft recovery
Другие IGBT... IRGR4607D , IRGS4607D , STGFW20H65FB , STGFW30H65FB , STGFW30V60DF , STGFW30V60F , STGFW40H65FB , STGD6NC60H-1 , SGT60U65FD1PT , STGFW40V60DF , RJH60V2BDPE , IKP08N65F5 , IKP08N65H5 , IKD04N60RA , IRG4MC30F , IRGB4610D , IRGR4045D .
History: SGTP40V120F2P7 | IRGS4640D | IXYH40N120C3D1 | BLG60T65FDK-K | MSG40T120FQC
History: SGTP40V120F2P7 | IRGS4640D | IXYH40N120C3D1 | BLG60T65FDK-K | MSG40T120FQC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet