2E715A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2E715A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25
Максимальная температура перехода (Tj): 125
Время нарастания: 250
Корпус: KT9M
2E715A Datasheet (PDF)
1.1. 2e715a.pdf Size:249K _igbt_a
2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни
5.1. 2e715b.pdf Size:249K _igbt_a
2Е715А, Б МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ КОМБИНИРОВАННЫЙ СИТ-МОП ТРАНЗИСТОР (КСМТ) С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ Применение: Электропривод, силовые преобразователи электроэнергии, вторичные источни
Другие IGBT... IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , IRG8B08N120KD , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , IRG7IC28U , 2E715B , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |