KE703A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: KE703A 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
Тип корпуса: TO220AB
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для KE703A
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
KE703A даташит
No data!
Другие IGBT... STGP7H60DF, IRG8B08N120KD, IRG8P08N120KD, IRGB4615D, IRGS4615D, RJH3077, RJP63G4, NTE3310, GT30J127, IKD06N60RA, IRGB4715D, IRGS4715D, IRGS4064D, MG1215H-XBN2MM, IKP15N65F5, IKP15N65H5, MMG15H120XB6TN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent
