KE703A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: KE703A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам