IKP15N65H5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKP15N65H5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K15H655
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 38 nC
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IKP15N65H5
IKP15N65H5 Datasheet (PDF)
ikp15n65h5.pdf
IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP15N65H5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP15N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeC
ikp15n65f5.pdf
IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP15N65F5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP15N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal
ikp15n60t.pdf
IKP15N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode CFeatures: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s G Designed for : E - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply
ikp15n60trev2 2g.pdf
IKP15N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fiel
Другие IGBT... NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 , CRG40T60AN3H , MMG15H120XB6TN , STGD3NC120H , RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2