Справочник IGBT. RJP6016JPE

 

RJP6016JPE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP6016JPE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для RJP6016JPE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP6016JPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  renesas
rjp6016jpe.pdfpdf_icon

RJP6016JPE

Preliminary Datasheet RJP6016JPE R07DS0878EJ0100600 V - 40 A- N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Sep 19, 2012Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low collector to emitter saturation voltage. VCE(sat) = 1.7 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(S)-(1) )

 9.1. Size:75K  renesas
r07ds0088ej rjp60d0dpm.pdfpdf_icon

RJP6016JPE

Preliminary Datasheet RJP60D0DPM R07DS0088EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outlin

 9.2. Size:79K  renesas
rjp60f0dpe.pdfpdf_icon

RJP6016JPE

Preliminary Datasheet RJP60F0DPE R07DS0540EJ0100600 V - 25 A - IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Sep 09, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta =

 9.3. Size:80K  renesas
r07ds0585ej rjp60f0dpm.pdfpdf_icon

RJP6016JPE

Preliminary Datasheet RJP60F0DPM R07DS0585EJ0100600 V - 25 A - IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Nov 25, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003ZA-A(Package name: TO-3PFM)C

Другие IGBT... IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 , IKP15N65H5 , MMG15H120XB6TN , STGD3NC120H , FGA25N120ANTD , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G , STGB10H60DF .

History: 1MBH10D-120 | NGTB50N60FL2WG | 1MBH25D-120 | IRG4BC20SD | STGW40H65DFB

 

 
Back to Top

 


 
.