NGD18N45CLBT4G - аналоги и описание IGBT

 

NGD18N45CLBT4G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NGD18N45CLBT4G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 18 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.07 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NGD18N45CLBT4G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGD18N45CLBT4G даташит

 ..1. Size:132K  onsemi
 ngd18n45clbt4g.pdf pdf_icon

NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLB Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS high current switching is requ

 6.1. Size:132K  onsemi
 ngd18n45.pdf pdf_icon

NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLB Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS high current switching is requ

 7.1. Size:126K  1
 ngd18n40clb.pdf pdf_icon

NGD18N45CLBT4G

NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high curren

 7.2. Size:126K  onsemi
 ngd18n40a.pdf pdf_icon

NGD18N45CLBT4G

NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped http //onsemi.com protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 18 AMPS, 400 VOLTS high curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKP15N65H5 , MMG15H120XB6TN , STGD3NC120H , RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , SGT50T65FD1PN , NGD8201B , NGD8201BNT4G , STGB10H60DF , STGB15H60DF , STGP10H60DF , STGP15H60DF , IGP20N65F5 , IGP20N65H5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.