Справочник IGBT. HGTD3N60A4S

 

HGTD3N60A4S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD3N60A4S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD3N60A4S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  1
hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdfpdf_icon

HGTD3N60A4S

 ..2. Size:257K  onsemi
hgtd3n60a4s hgtp3n60a4.pdfpdf_icon

HGTD3N60A4S

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 6.1. Size:265K  1
hgtd3n60c3s hgtp3n60c3.pdfpdf_icon

HGTD3N60A4S

HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3Data Sheet December 20016A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs FeaturesThe HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated 6A, 600V at TC = 25oChigh voltage switching devices combining the best features 600V Switching SOA Capabilityof MOSFETs and bipolar transistors. These devices have Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 1

Другие IGBT... HGTD10N40F1S9A , HGTD10N50F1 , HGTD10N50F1S , HGTD10N50F1S9A , HGTD1N120BNS , HGTD1N120CNS , HGTD2N120BNS , HGTD2N120CNS , YGW60N65F1A1 , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , HGTD6N40E1 , HGTD6N40E1S , HGTD6N50E1 .

History: NGTB40N135IHR | APT33GF120B2RD | SM2G100US60 | FGPF4565 | IXGA48N60A3 | IRG4BC30W-S | IGB15N65S5

 

 
Back to Top

 


 
.