STGWT20V60F - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWT20V60F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для STGWT20V60F
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWT20V60F даташит
stgwt20v60f.pdf
STGFW20V60F, STGW20V60F, STGWT20V60F 600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Very high speed switching series 3 Tail-less switching off 2 Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V (typ.) 1 TO-3PF @ IC = 20 A TAB Tight parameters distribution Safe par
stgwt20v60df.pdf
STGB20V60DF, STGP20V60DF, STGW20V60DF, STGWT20V60DF 600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Very high speed switching series 3 3 2 Tail-less switching off 1 1 Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V (typ.) TO-220 D PAK @ IC = 20 A TAB Tight paramete
stgwt20h60df.pdf
STGW20H60DF, STGWT20H60DF 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features High speed switching TAB Tight parameters distribution Safe paralleling Low thermal resistance Short-circuit rated 3 3 2 2 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 1 1 TO-247 TO-3P Applications Motor control UPS, PFC Figure
stgwt20ih125df.pdf
STGW20IH125DF STGWT20IH125DF 1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB Designed for soft commutation only Maximum junction temperature TJ = 175 C Minimized tail current VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A 3 2 Tight parameters distribution 3 1 2 Safe paralleling 1 Very low VF soft recovery co-pa
Другие IGBT... STGB20V60DF , STGB20V60F , STGFW20V60F , STGP20V60DF , STGP20V60F , STGW20V60DF , STGW20V60F , STGWT20V60DF , GT60N321 , F3L50R06W1E3_B11 , KGT15N120NDS , KGF30N60KDA , KGF30N60PA , IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T .
History: YGW15N120T3 | XP035PJE120AT1B2 | STGB19NC60W | SGP15N60RUF | SGP23N60UF | STGWT40H65DFB | SII150N12
History: YGW15N120T3 | XP035PJE120AT1B2 | STGB19NC60W | SGP15N60RUF | SGP23N60UF | STGWT40H65DFB | SII150N12
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586







