Справочник IGBT. IRG8P25N120KD

 

IRG8P25N120KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG8P25N120KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRG8P25N120KD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG8P25N120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  international rectifier
 irg8p25n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P25N120KD

IRG8P25N120KDPbF IRG8P25N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 25A, TC =100C E tSC 10s, TJ(max) = 150C E G C C G G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 15A IRG8P25N120KDPbFIRG8P25N120KDEPbFn-channelTO247ACApplications TO247ADG C E Industrial Motor Drive Gate Collector

 9.1. Size:640K  international rectifier
 irg8p15n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P25N120KD

IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 15A, TC =100C E tSC 10s, TJ(max) = 150C E GC G G C EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 10A IRG8P15N120KDPbFIRG8P15N120KDEPbFn-channelTO247ACApplications TO247ADG C E Industrial Motor Drive Gate Collector E

 9.2. Size:659K  international rectifier
 irg8p08n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P25N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 8A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C E C GE C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G ETO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

 9.3. Size:615K  international rectifier
 irg8p50n120kd.pdf pdf_icon

IRG8P25N120KD

IRG8P50N120KDPbF IRG8P50N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 50A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C C E G E G C G EVCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 35A IRG8P50N120KDPbFIRG8P50N120KDEPbFn-channelTO247ACApplications TO247ADG C E Industrial Motor Drive Gate Collector Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGWT20V60DF , STGWT20V60F , F3L50R06W1E3_B11 , KGT15N120NDS , KGF30N60KDA , KGF30N60PA , IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , RGT50TS65D , IGB30N60T , IGW30N60T , IGP30N65F5 , IGP30N65H5 , IKP30N65F5 , IKP30N65H5 , IKW30N65H5 , NGTB30N60S .

History: STGP20V60DF | DM2G200SH6A | DIM800FSM12-A

 

 
Back to Top

 


 
.