Справочник IGBT. HGTD6N40E1

 

HGTD6N40E1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD6N40E1
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G6N40E
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6.9 nC
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HGTD6N40E1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD6N40E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  1
 hgtd6n40e1 hgtd6n40e1s hgtd6n50e1 hgtd6n50e1s.pdf pdf_icon

HGTD6N40E1

HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S,HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S6A, 400V and 500V N-Channel IGBTsMarch 1997Features PackagesHGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500VJEDEC TO-251AA VCE(ON): 2.5V Max.EMITTERCOLLECTOR TFALL: 1.0sGATE Low On-State Voltage Fast Switching SpeedsCOLLECTOR(FLANGE) High Input ImpedanceHGTD6N40E1S, HGTD6N50E1SApplicationsJEDEC TO

Другие IGBT... HGTD2N120BNS , HGTD2N120CNS , HGTD3N60A4S , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , IHW20N135R5 , HGTD6N40E1S , HGTD6N50E1 , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S .

History: IXGH28N30B | APT40GP60J

 

 
Back to Top

 


 
.