STGP20H60DF - аналоги и описание IGBT

 

STGP20H60DF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGP20H60DF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для STGP20H60DF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP20H60DF даташит

 ..1. Size:1853K  st
stgp20h60df.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB High speed switching Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 3 2 2 1 1 Low thermal resistance TO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diode TAB Applications 3 1 Motor contr

 8.1. Size:110K  st
stgp20nb37lz.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB37LZ CLAMPED

 8.2. Size:325K  st
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB60K STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60K 600 V

 8.3. Size:294K  st
stgp20nb60h.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60H 600 V

Другие IGBT... IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , STGB20H60DF , RJP30E2DPP-M0 , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 , NGTB30N65IHL2 , NGTB30N65IHL2WG , KGT25N135KDH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.