Справочник IGBT. STGP20H60DF

 

STGP20H60DF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP20H60DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGP20H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1853K  st
stgp20h60df.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr

 8.1. Size:110K  st
stgp20nb37lz.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB37LZN-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTPRELIMINARY DATATYPE VCES VCE(sat) ICSTGP20NB37LZ CLAMPED

 8.2. Size:325K  st
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB60KSTGW20NB60KN-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP20NB60K 600 V

 8.3. Size:294K  st
stgp20nb60h.pdfpdf_icon

STGP20H60DF

STGP20NB60HN-CHANNEL 20A - 600V TO-220PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP20NB60H 600 V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1 | AOB30B65LN2V

 

 
Back to Top

 


 
.