STGW15S120DF3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGW15S120DF3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGW15S120DF3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW15S120DF3 даташит
stgw15s120df3.pdf
STGW15S120DF3, STGWA15S120DF3 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameter distribution Safer paralleling 3 Low thermal resistance 2 1 Soft and fast recovery antiparallel diode TO-247 TO-247 long leads Applicat
stgw15m120df3 stgwa15m120df3.pdf
STGW15M120DF3 STGWA15M120DF3 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance 3 Soft and fast recovery antiparallel diode 2 1 Applications TO-247 Industria
stgw15h120df2.pdf
STGW15H120DF2, STGWA15H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247 T
stgw15h120f2.pdf
STGW15H120F2, STGWA15H120F2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short-circuit withstand time at 3 3 2 2 TJ=150 C 1 1 Safe paralleling TO-247 TO-2
Другие IGBT... NGTB50N60SWG , IGW40N65H5 , IGP40N65F5 , IGP40N65H5 , IGW40N65F5 , IKP40N65F5 , IKW40N65F5 , NGTB40N60FLWG , GT60N321 , STGW20IH125DF , STGWA15S120DF3 , STGWT20IH125DF , SML75HB06 , MMG50H120X6TN , MMG50S120B6TN , MMG50W120XB6TN , NGTB30N120L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay






