STGP30V60DF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGP30V60DF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для STGP30V60DF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGP30V60DF даташит
stgb30v60df stgp30v60df stgw30v60df stgwt30v60df.pdf
STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma
stgp30v60df.pdf
STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma
stgp30v60f.pdf
STGB30V60F, STGP30V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C TAB Tail-less switching off TAB VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A Tight parameters distribution Safe paralleling 3 3 1 2 1 Low thermal resistance D2PAK TO-220 Applications Ph
stgf30nc60s stgp30nc60s stgwf30nc60s.pdf
STGF30NC60S STGP30NC60S, STGWF30NC60S 30 A, 600 V, fast IGBT Features TAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 3 2 High current capability 2 1 1 TO-220 TO-220FP Application 1 1 1 3 Motor drive 2 1 TO-3PF Description This device utilizes the advanced PowerMESHTM process result
Другие IGBT... MMG50W120XB6TN , NGTB30N120L , NGTB30N120LWG , NGTB40N120L , NGTB40N120LWG , STGB30H60DLFB , STGB30V60DF , STGB30V60F , IRG7S313U , STGP30V60F , STGW15H120DF2 , STGW15H120F2 , STGW20H65FB , STGW30H60DF , STGW30H60DFB , STGW30H60DLFB , STGW30H65FB .
History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent











